集微網訊息（文/陳薇）6月17日，據天眼查App顯示，長鑫儲存技術有限公司公開申請的2項專利，包括“半導體結構的製作方法及半導體結構”、“儲存晶片的測試方法、裝置、裝置及儲存介質”。
“半導體結構的製作方法及半導體結構”公開號為CN114639638A，專利摘要顯示，本公開提供了一種半導體結構的製作方法及半導體結構，涉及半導體技術領域。半導體結構的製作方法包括提供基底，基底的表面形成有間隔設定的接觸結構；於基底上形成包括交替層疊的支撐層及犧牲層的疊層結構，疊層結構覆蓋接觸結構；於疊層結構內形成隔離結構，隔離結構沿垂直於基底的方向貫穿犧牲層和部分支撐層，並透過剩餘部分支撐層與基底連線，以將基底分為第一區域和第二區域；於第二區域內形成電容結構，電容結構與第二區域內的接觸結構對應連線。
本公開透過隔離結構界定了第一區域和第二區域，使得第二區域獲得平整的邊界，提高了第一區域內填充材料的緻密性，避免了第一區域內發生短路的問題，從而提高了半導體結構的電性和良率。
“儲存晶片的測試方法、裝置、裝置及儲存介質”公開號為CN114639434A，專利摘要顯示，本發明提供一種儲存晶片的測試方法、裝置、裝置及介質，涉及半導體技術領域。儲存晶片的測試方法包括：在待測儲存晶片的儲存單元中寫入測試資料；從儲存單元中讀取儲存資料；根據測試資料和儲存資料，生成待測儲存晶片的測試結果。
其中，待測儲存晶片的當前寫入選通脈衝寬度小於待測儲存晶片的標準寫入選通脈衝寬度，和/或，待測儲存晶片的當前讀取選通脈衝寬度小於待測儲存晶片的標準讀取選通脈衝寬度。本發明透過製造不利於準確寫入測試資料或讀取儲存資料的條件，從而精準檢測儲存晶片是否存在資料寫入或讀取異常的情況，提升產品良率。
（校對/Andy）