IT之家 5 月 23 日訊息，華為此前釋出了一篇介紹儲存器的文章 ——《華為麒麟帶你一圖看懂儲存器》。在文章最後華為表示，隨著晶片尺寸的不斷微縮，DRAM 工藝的微縮變得越來越困難，平面 DRAM 的“摩爾定律”正在逐漸走向極限，當今各大廠商都在研究 3D DRAM 作為解決方案來延續 DRAM 的使用。
多個日本媒體表示，華為將在 VLSI Symposium 2022（6 月 12 日～17 日在夏威夷舉行）上發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術，進行各種有關記憶體的演示。
報道稱，華為與中科院方面開發了基於銦鎵鋅氧 IGZO-FET（由 In、Ga、Zn、O 組成的透明氧化物）材料的 CAA（Channel-All-Around）構型電晶體 3D DRAM 技術，具有出色的溫度穩定性和可靠性。
IGZO 是一種不算陌生的氧化物，早在 2004 年就由東京工業大學的細野教授發現並發表在《自然》雜誌上。
▲ CAA 型 IGZO FET 垂直截面 SEM 影象和 EDX 視覺化元素分佈（圖源：VLSI symposium）
除華為之外，日媒還表示 IBM、三星、英特爾、Meta、斯坦福大學、喬治亞理工學院等都將提出儲存領域的新突破。
IT之家瞭解到，華為此前已在儲存領域進行深度研究，此前就表示要針對資料儲存領域關鍵根技術進行突破。
根據此前報道，在去年舉辦的 IEDM 2021 上，中科院微電子所李泠研究員團隊聯合華為 / 海思團隊，首次提出了新型垂直環形溝道器件結構（CAA），該結構有效減小了器件面積，且支援多層堆疊，透過將上下兩個 CAA 器件直接相連，每個儲存單元的尺寸可減小至 4F2，使 IGZO-DRAM 擁有了密度優勢，有望克服傳統 1T1C-DRAM 的微縮挑戰。