華為 X 中科院!無電容DRAM新結構研究成果將亮相頂會
圖自:華為官網儘管HBM的出現開啟了DRAM 3D化發展道路,無電容IGZO-DRAM 也成為了實現高密度 3D DRAM 的合適候選者,三星、美光甚至應用材料這樣的半導體裝置廠商也參與其中...
圖自:華為官網儘管HBM的出現開啟了DRAM 3D化發展道路,無電容IGZO-DRAM 也成為了實現高密度 3D DRAM 的合適候選者,三星、美光甚至應用材料這樣的半導體裝置廠商也參與其中...
根據此前報道,在去年舉辦的 IEDM 2021 上,中科院微電子所李泠研究員團隊聯合華為 / 海思團隊,首次提出了新型垂直環形溝道器件結構(CAA),該結構有效減小了器件面積,且支援多層堆疊,透過將上下兩個 CAA 器件直接相連,每個儲存單...