NAND降幅大於DRAM，伺服器成為扭轉需求的關鍵見智研究認為：2022年儲存晶片的市場情況與2019年有非常多的共性，但也有不同...

動土典禮儀式由臺塑集團總裁王文淵親自主持，凸顯集團對此事的重視，根據南亞科規劃，12吋新廠落腳新北市泰山南林科學園區，總投資額高達3，000億元，目標2025年開始裝機量產，採用10納米制程技術生產DRAM，月產能約4...

摘要：6月17日訊息，據新成立的國產DRAM廠商——深圳市昇維旭技術有限公司（以下簡稱“昇維旭”）官方訊息，前日本爾必達社長、前紫光集團高階副總裁兼日本分公司CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto），昨日正式出任昇維旭首席戰略官...

圖自：華為官網儘管HBM的出現開啟了DRAM 3D化發展道路，無電容IGZO-DRAM 也成為了實現高密度 3D DRAM 的合適候選者，三星、美光甚至應用材料這樣的半導體裝置廠商也參與其中...

摘要：5月31日訊息，臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科宣佈斥資新臺幣3000億元新建12吋廠取得相關許可後，已敲定於6月23日舉行動土典禮...

若是華為與中科院共同研發的3D DRAM技術能夠搶先落地應用，那麼，我們將有很大可能實現對三星、SK海力士和美光的彎道超車...

圖：相關技術影象據Tech+透露，菊廠這次釋出的3D DRAM技術，是基於銦鎵鋅氧IGZO-FET材料的CAA構型電晶體3D DRAM技術，具有出色的溫度穩定性和可靠性...

根據此前報道，在去年舉辦的 IEDM 2021 上，中科院微電子所李泠研究員團隊聯合華為 / 海思團隊，首次提出了新型垂直環形溝道器件結構（CAA），該結構有效減小了器件面積，且支援多層堆疊，透過將上下兩個 CAA 器件直接相連，每個儲存單...

據日經亞洲當天報道，南亞科技總經理李培瑛說，這個位於中國臺灣北部新北市的工廠，也受到了比預期更長的環境和其他監管審查的衝擊...

176層技術節點上被趕超，鎧俠加碼投資建廠，三星有“危機感”，會重點投資NAND相較於DRAM，NAND Flash市場競爭更大，三星全球市場佔有率一直保持在30%以上，之前主要是三星、鎧俠、西部資料、SK海力士、美光、英特爾幾家原廠競爭...

半導體儲存器分類及全球市場份額佔比，製圖丨果殼硬科技，資料來源丨Yole雖然半導體儲存器的細分種類繁雜，讓人眼花繚亂，但實際上NAND Flash（NAND型快閃記憶體）和DRAM兩種主流儲存器就佔據了全球整體儲存器市場份額的96％左右，N...

摘要：6月3日訊息，國產儲存廠商兆易創新今日宣佈，首款自有品牌4Gb DDR4產品——GDQ2BFAA系列現已量產，實現了從設計、流片，到封測、驗證的全國產化，在滿足消費類市場強勁需求的同時，將助力國產自主供應生態圈的發展構建...

當時，三星電子採用堆疊法是因為這是一種更容易制DRAM 和檢查生產過程中問題的方法...

此外，三星半導體官微訊息，三星宣佈成功開發出其業界首款基於 14 奈米的下一代移動 DRAM——LPDDR5X（低功耗雙倍資料速率 5X），並稱其 14 奈米 LPDDR5X 在“速度、容量和省電”特性方面大幅提升據介紹，LPDDR5X的運...

集微網訊息，美國最大的儲存晶片製造商美光於當地時間週三表示，隨著世界各國政府爭相將重要的半導體生產帶到本土，它將在未來十年內投資1500億美元用於晶片製造和研發...

美光示警PC零元件拉貨動能因長短料而受阻，意味整體PC鏈「長料（指相對不缺、甚至供給過剩的零元件）」後續動能堪虞，包括面板、儲存器等都難逃衝擊，牽動群創在美光之前，多家外資及市調機構即對儲存器後市釋出偏空看法，預期報價將轉弱...

IT之家3 月 24 日訊息 目前半導體行業內正面臨一系列嚴重的缺芯問題，包括汽車生產量恢復，晶片需求遠超預期，一度造成供需失衡，再加上美商務部制裁，有分析師認為，供應不足的化解仍需要較長時間，今後或持續上漲...

原標題：研究機構稱PC DRAM合約價格Q1上漲3-8% 預計Q2漲幅更高【TechWeb】3月31訊息，據國外媒體報道，產業鏈人士和供應商此前曾表示，在去年下半年下滑之後，DRAM的合約價格在今年一季度就將開始上漲，二季度仍將延續上漲的勢...

cn【TechWeb】3月27日訊息，據國外媒體報道，產業鏈人士此前曾透露，DRAM（動態隨機儲存器）的合約價格在今年上半年將上漲，預計會持續到三季度，在四季度開始調整...

該機構預測，受惠於DRAM價格的不斷上漲，以及NAND快閃記憶體近期的市況好轉，SK海力士在第一季度的營收可能會較上年增長14...