集微網報道 3月31日，天嶽先進發布年度業績報告稱，2021年，公司實現營收為4。94億元，同比增長16。25%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為8995。15萬元，實現扭虧為盈。
根據 yole 報告統計，2021年天嶽先進在半絕緣碳化矽襯底領域，市場佔有率連續三年保持全球前三。同時，公司正加快提升導電型襯底產能建設。
2021 年，天嶽先進募投專案“碳化矽半導體材料專案”在上海臨港正式開工建設，該專案納入國家佈局，且被上海市政府列為 2021 年、2022 年上海市重大建設專案。本專案主要用於生產 6 英寸導電型碳化矽襯底材料，滿足下游電動汽車、新能源併網、智慧電網、儲能、開關電源等碳化矽電力電子器件應用領域的廣泛需求。該專案預計 2022 年三季度實現一期專案投產，並計劃於 2026 年達產，達產後將新增碳化矽襯底材料產能約 30 萬片/年。
同時，天嶽先進也將智慧工廠納入實現未來發展戰略的實施路徑。由於碳化矽半導體材料生長溫度高，影響因素多，既是多因多果，又是離散型生產，技術迭代週期相對較長。公司計劃採用 AI 技術、數字孿生技術，打造出數字化工廠，利用公司積累的海量資料，在數字工廠進行工藝技術模擬，將模擬成果在實體工廠進行驗證，實體工廠積累的資料再反饋給數字工廠，達到數字工廠、實體工廠聯動，大幅度壓縮技術迭代，極大地提高研發速度。此次公司的募投專案在上海臨港落地，有望成為智慧工廠的試驗田，令公司的碳化矽襯底材料提質增產，成為趕超國際標杆企業的重要抓手，並立志將其打造成國際一流的智慧工廠示範專案。
在技術研發方面，2021 年，天嶽先進持續加大研發投入，研發實力不斷增強，取得了豐碩的研發成果。2021 年，公司研發費用 7，373。61 萬元，佔營業收入的 14。93%，研發費用同比增加了 62。05%。依託“專案 B”、“8 英寸寬禁帶碳化矽半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術專案”等研發專案，公司在加快研發大尺寸碳化矽襯底以及提升導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展。
2021 年，天嶽先進圍繞產能提升、質量提升、降本增效、智慧工廠等多方向開展技術創新，並積極進行智慧財產權保護和商業秘密保護。報告期內，公司及下屬子公司合計新申請發明專利和實用新型專利共 89 項，其中發明專利 37 項，實用新型 52 項，覆蓋了粉料製備、晶體生長、長晶裝置、冷卻系統、清洗裝置以及籽晶、襯底、晶體等產品。
截至 2021 年 12 月 31 日，天嶽先進及下屬子公司累計獲得境內發明專利授權 98 項，實用新型專利授權 312 項，獲得日本發明專利 1 項，中國臺灣地區發明專利 4 項。保持了公司專利保護規模在同行業的優勢地位，提升產品技術創新能力的同時也持續提升了公司在國內外市場中的競爭力。