天嶽先進去年淨利實現扭虧為盈 半絕緣碳化矽襯底市佔率保持全球前三
依託“專案 B”、“8 英寸寬禁帶碳化矽半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術專案”等研發專案,公司在加快研發大尺寸碳化矽襯底以及提升導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展...
依託“專案 B”、“8 英寸寬禁帶碳化矽半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術專案”等研發專案,公司在加快研發大尺寸碳化矽襯底以及提升導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展...
專案建成後主要用於生產6英寸導電型碳化矽半導體材料,產品應用於新能源汽車、軌道交通以及大功率輸電變電等領域...
隨著天嶽先進今日成功上市,現年58歲的宗豔民坐擁360億市值,而山東也由此收穫今年的第一個IPO...
缺乏市場交叉驗證天嶽成立於2010年,主營業務是第三代半導體碳化矽襯底材料,屬於第三代半導體的上游,為終端射頻或功率器件提供原材料,公司主要產品包括半絕緣型和導電型碳化矽襯底...
天嶽先進產能使用情況圖片來源:天嶽先進招股書持續虧損難補 股份支付費用高企作為國家大力發展的新興產業,半導體行業公司的政府補貼水平普遍較高...
公司計劃在碳化矽材料領域持續投入,或繼續進行股權激勵,可能導致未來一定期間無法盈利,公司累計未彌補虧損將持續為負,無法進行利潤分配,將對投資者的投資收益造成一定程度不利影響...