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光刻機是晶片製造的核心裝置，許多國家企業都在大力發展晶片製造，而光刻機的研發成為了重中之重。
由於光刻機的生產研發難度較高，所以大部分的企業都考慮從ASML手中購買先進的光刻機裝置。
可是外部市場規則的變化讓我們意識到必須將核心技術掌握在自己手中。功夫不負有心人，經過中國科研人員的努力之後，3項核心技術接連突破，事關國產光刻機。對此都有哪些技術進展呢？ASML如何應對？
關於國產光刻機，3項技術迎來突破
來自荷蘭的ASML公司在光刻機行業掌握絕對的話語權，臺積電、三星、英特爾、SK海力士等世界級巨頭都是這家公司的客戶。
他們都是ASML公司EUV光刻機的核心銷售物件。但其實ASML也曾和中國企業展開EUV光刻機的交易，可最終在某些國家的阻礙下失敗了。
ASML公司直言除了EUV光刻機之外，其餘的裝置都能正常出貨。意思已經非常明顯了，國外對最先進，最高階的裝置一直保持戒備，所以在這樣的情況下，任何的科技突破都必須透過自主研發的力量進行。
國外無法提供的技術那就自己研發，在每一項技術節點投入部署，攻克核心技術難題。事實證明，努力是可行的，關於國產光刻機，3項核心技術接連突破。
首先來看第一項：長春光機所突破“光學投影物鏡”製造關鍵技術。
物鏡系統是光刻機的重要組成部分，在光學投影領域發揮重要的作用。長春光機所是國內知名的科研機構，有豐富的光學領域經驗積累。這一技術的突破為國產光刻機提供了光學投影物鏡製造領域的一個探索方向。
其次第二項技術是一種“雙波長鐳射共軸輸出系統與方法”。
這是一項同樣由長春光機所取得的發明專利，應用於光刻機領域。根據專利介紹可知，目前可調諧co2鐳射器普遍採用的是稜鏡等色散元件完成輸出，但經過長春光機所的研發後，可以同時輸出雙波長鐳射。
另外就是第三項技術突破是 “一種高功率波長可調的極紫外光源的產生裝置及方法”。
這項專利技術由中科院取得突破，根據專利研究表明，極紫外光源存在鐳射等離子體轉換效率小於3%，功率無法有效提升。在光刻機進行5nm及以下製程曝光時解析度是有限的。
於是中科院面向極紫外光源解決功率低，波長不可調的問題提出了這項解決方案技術，並公開申請專利。
以上這三種核心技術的突破都和光刻機有關，或許光刻機並非如大家想象中的神秘莫測，只要投入研發遲早會取得突破。這業內有很多聲音表示光刻機制造難度有多大，背後有多少供應商採用了多少零部件。
但任何一項領先的科技產品，都是經過反覆打磨，測試並最終實現突破。光刻機也不例外，或許想要製造出完整的EUV光刻機無法在一時半會完成，但我們可以樹立一個可見的目標。當完成目標時再去攻克更高層次的難題。
ASML也沒料到
國產光刻機的發展時間並沒有國外那麼久，ASML還得到了各國公司的支援。儘管ASML掌握了EUV光刻機的生產製造工藝，但如果沒有其他國家科技產品的話，EUV同樣無法造出來。
所以ASML想要向哪些客戶出貨EUV光刻機，還需要背後的專利供應國說了算。ASML一直都希望與中國市場展開更密切的合作，不止一次表達出合作攜手的意向。
ASML這麼做其實不難理解，畢竟中國是全球最大的晶片消費市場，而我國正不斷髮展晶片製造業，將來對光刻機的需求還會上漲。
這是一個很好的市場機會，EUV光刻機除了ASML之外沒有別的廠商可製造，這是完全被ASML壟斷的市場。只可惜ASML不能將它發往大陸市場，那就只能推銷DUV等其它型別的光刻機了。
可是國產光刻機取得諸多核心技術突破，將來很有可能實現自主技術的可控，到時候DUV光刻機可生產的晶片國產光刻機也行。一旦走到這一步，ASML唯一能出貨的裝置領域也會面臨變數。
長春光機所和中科院的3項核心技術突破已經發出了訊號，按照這樣的趨勢發展下去，未來或有可能實現預想中的一切。
估計ASML也沒料到這麼快，那麼ASML該如何應對呢？或許只能極力推銷DUV光刻機了，又或者降低價格提高出貨量。但不管有哪些應對措施，國產光刻機勢必一往無前。
總結
國產光刻機實現一項又一項技術突破，這為我國半導體的發展將提供一定的技術保障。技術作為驅動科技發展的重要因素，相信在未來還會取得更多的技術突破。不只是光刻機，在其它的半導體裝置領域也終究實現破冰。
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