3月9日，博世旗下博世創投宣佈完成對基本半導體的投資。基本半導體是一家位於深圳的碳化矽功率器件提供商，博世此舉旨在進一步豐富在第三代半導體領域的佈局。
當前，隨著新能源汽車的快速發展，推動以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體也隨之迎來爆發風口。因為相較於矽（Si）、砷化鎵（GaAs）等第二代半導體，第三代半導體具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越效能，可以更好地滿足新能源汽車的發展需求。特別是碳化矽，作為製造MOSFET、IGBT、SBD等高耐壓、大功率電力電子器件的主要材料，正廣泛用於新能源汽車領域。
據相關預測資料顯示，到2025年，新能源汽車與充電樁領域的碳化矽市場將達到17。78億美元，約佔碳化矽總市場規模的七成。言外之意即，新能源汽車行業將是碳化矽市場最大的驅動力。
博世碳化矽微晶片，圖片來源：博世
正因為如此，當前很多企業都在積極佈局碳化矽領域。其中博世早在2019年就開始試水碳化矽晶片研發。2020年北京車展，博世碳化矽功率器件首次在全球對外亮相，該產品可助力電動汽車和混合動力汽車增加約6%的續航里程，極大地降低能源消耗。
在博世看來，碳化矽一定是未來的大方向，因為與傳統矽基材料產品相比，碳化矽功率器件在實現更高開關頻率的同時，可保持較低能量損耗和較小芯片面積，節能效果更好。為此，近兩年博世一直在不斷加大相關技術領域的投入，並已開始在位於德國的兩家晶片工廠裡生產碳化矽晶片，用於取代IGBT。
此次投資基本半導體，無疑是博世強化碳化矽佈局又一重要舉措。作為中國第三代半導體行業的重要參與者之一，基本半導體主要致力於碳化矽功率器件的研發與產業化，涵蓋碳化矽功率器件的材料製備、晶片設計、製造工藝、封裝測試、驅動應用等產業全鏈條，並先後推出了全電流電壓等級碳化矽肖特基二極體、透過工業級可靠性測試的1200V碳化矽MOSFET、車規級全碳化矽功率模組等系列產品。
基本半導體研發的車規級碳化矽功率模組，圖片來源：基本半導體
其中車規級全碳化矽功率模組是專門針對新能源汽車電機控制器開發，搭載了8顆碳化矽MOSFET晶片，具有高功率密度、高可靠性、低模組內部寄生電感、低熱阻等效能優勢，該產品將於2021年實現量產。
伴隨著產品方面取得的重大突破，今年2月，基本半導體還在日本名古屋正式註冊成立了基本半導體株式會社，以利用日本在半導體、汽車等產業的人才和技術優勢，加快推動車規級碳化矽功率模組產品的研發和產業化，同時發力全球化佈局。