據日媒報道，昭和電工株式會社於2021年9月13日宣佈，與ROHM簽訂了功率半導體用SiC（碳化矽）外延片的多年長期供應合同。報道指出，本次簽訂的合同是向製造SiC功率半導體的ROHM供應昭和電工製造的SiC外延片。
據悉，今年八月，昭和電工就宣佈，將藉由公募增資、第三者配額增資籌措約1，100億日圓資金，其中約700億日圓將用於擴增SiC晶圓等半導體材料產能。
日本市調機構富士經濟指出，自2021年以後，在汽車/電子裝置需求加持下，預估碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長，預計2030年市場規模將較2020年跳增3。8倍（成長約380%）。
隨著近年來全球對以SiC晶片為襯底的器件需求持續增長，各大國際廠商紛紛透過加強合作和產能擴張計劃開啟SiC爭奪戰。
昭和電工除了此次與羅姆簽訂長期供應合同外，今年5月，該公司還與英飛凌科簽訂了供應契約，供應包括磊晶在內的各種SiC材料。根據雙方公佈的資訊，英飛凌和昭和電工的合同期限為兩年，並可選擇延期。
此外，科銳於今年8月宣佈與意法半導體（ST）擴大現有的多年長期SiC晶圓供應協議。根據新的供應協議，科銳在未來幾年將向意法半導體提供150毫米SiC裸片和外延片。
羅姆也計劃在今後5年內投資600億日元，將使用於EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍。