2020年儲存市場發生了很多大事，比如鎧俠延遲IPO上市；英特爾徹底與美光結束合作；SK海力士買下英特爾NAND業務；西部資料合併Flash和HDD業務；長江儲存釋出128層3D NAND；美光和SK海力士突破176層3D NAND技術等等。
無論對於NAND Flash還是DRAM市場而言，都具有重大意義。2020年原廠之間暗潮湧動，作為儲存晶片龍頭企業的三星，2021年的動向備受關注。
據市場訊息稱，
三星計劃2021年將大部分投資用於NAND Flash、晶圓代工等，DRAM則維持2020年的水平，較為保守投資。
記憶體市場熱度不減，三星為何保守投資DRAM？
從12月份開始，記憶體市場不僅備貨需求積極，而且市場DDR顆粒和記憶體條漲價明顯。據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket報價顯示，一個多月以來，渠道記憶體條DDR4 UDIMM 16GB 2666累積漲幅已超過20%；行業記憶體條DDR4 SODIMM 16GB 2666累積漲幅也已達15。5%。
在全球DRAM市場上，主要是三星、SK海力士、美光主導，且三星市場佔有率一直超過40%，而且三星儲存器業務結構中，DRAM營收佔60%，而NAND Flash營收佔40%。就目前市場而言，記憶體條市場價格漲價明顯，且向上行情有望持續，三星DRAM保守投資，可維持穩健的市場供需關係，同時保持業務收益表現。
在DRAM技術方面，2020年三星率先在1Znm工藝節點匯入EUV裝置，量產16Gb LPDDR5。同時三星也規劃將在2021年大量生產基於第四代10nm級（1α）EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5，相比美光和SK海力士，三星DRAM技術處於領先優勢。
在投資方面，三星2020年在平澤P2工廠已投產DRAM，2021年將根據市況靈活調整產能。同時，三星還計劃將華城DRAM生產線轉為CIS生產線，以期增加20%的CIS產能，滿足市場不斷增加的市場需求。綜合來看，三星在DRAM投資上將會趨於保守。
176層技術節點上被趕超，鎧俠加碼投資建廠，三星有“危機感”，會重點投資NAND
相較於DRAM，NAND Flash市場競爭更大，三星全球市場佔有率一直保持在30%以上，之前主要是三星、鎧俠、西部資料、SK海力士、美光、英特爾幾家原廠競爭。但是到2020年，長江儲存重磅釋出128層3D NAND技術，再加上SK海力士收購英特爾之後，市場競爭進一步加劇。
在NAND Flash技術上，三星一直處於領先地位，也是最早在2013年率先量產24層3D NAND。不過，在2020年底，美光、SK海力士公開宣佈在176層3D NAND上率先取得突破進展，雖然三星也聲稱將在2021年量產第七代V-NAND，但依然感受到了來自競爭對手的壓力。
在NAND Flash投資上，僅次於三星市場排名的鎧俠與西部資料，共同投資的巖手縣北上市新工廠K1已在2020上半年開始少量生產，在四日市儲存器生產基地北側，Fab7工廠土地正在動工中，建設將分兩個階段，第一階段建設計劃於2022年春季完成。另外，鎧俠還宣佈將擴建日本巖手縣生產基地，將在現有的K1工廠旁擴建K2廠區，將於2021年春季開始，2022年春季完成。
因此，
三星投資自然也不會手軟，而且看好新的2021年5G手機和SSD市場前景。
據悉，2020年在中國西安的二期第一階段已投產，並開始新建二期第二階段專案，將在2021年下半年竣工，同時平澤P2工廠已投資8兆韓元新建NAND Flash產線，計劃2021下半年開始量產。
三星晶圓代工“霸主”目標不變，市場供不應求，加快投資步伐
三星曾披露“半導體願景2030”長期計劃，目標是在未來10年裡 “稱霸”晶圓代工市場。
雖然目前與臺積電在全球市場佔有率上還有較大的差距，但是無論是在技術還是投資上，三星都在不斷的增加。
2020年三星已開始在華城工廠批次生產5nm EUV產品，同時提升位於韓國平澤工廠的晶圓代工產能，擴大5nm EUV量產規模。三星從2005年新建首條12英寸代工生產線，如今已擁有7條代工生產線，將持續滿足5G、高效能計算和人工智慧等市場需求。
在先進技術上，三星將在2022年大規模生產3nm製程晶片，這與臺積電在2022年下半年量產3nm的規劃保持一致。不過，臺積電也表示，2nm製程上取得重大內部突破，有望於2023下半年進行風險性試產，2024年投入量產。
此外，之前就有訊息稱，三星獲得高通大訂單，將製造用於中低端價位手機的5G處理器，再加上當前晶圓代工產能供不應求，有訊息稱NVIDIA向三星追加訂單，已開始在華城晶圓代工廠進行生產，預計晶圓代工產能緊缺的熱度將會持續到2021年，三星勢必會加快投資步伐。
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