Intel 4工藝進展順利:每瓦效能提升20%,明年下半年量產

摘要:近日英特爾再次曝光了其Intel 4 EUV工藝的最新進展。根據官方放出的48秒影片展示了基於該工藝生產的晶圓的測試過程,最後的測試結果顯示,整個晶圓上的晶片幾乎通過了所有測試,內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規範,晶片很“健康””。

Intel 4工藝進展順利:每瓦效能提升20%,明年下半年量產

10月底,英特爾釋出的12代酷睿不僅採用了全新的“大小核”架構,製程工藝也升級到了Intel 7(之前的10nm SuperFin工藝,相當於臺積電7nm工藝)。根據英特爾的規劃,明年下半年將會量產全新的Intel 4工藝(英特爾之前已多次跳票的7nm工藝,相當於臺積電4nm工藝)。

根據英特爾之前公佈的資訊顯示,與Intel 7相比,Intel 4的每瓦效能提高了約20% ,同時它也將是首個完全採用EUV光刻技術的英特爾FinFET節點。此前臺積電的7nmEUV工藝也只是少部分環節採用了EUV工藝。

近日英特爾再次曝光了其Intel 4 EUV工藝的最新進展。根據官方放出的48秒影片展示了基於該工藝生產的晶圓的測試過程,最後的測試結果顯示,整個晶圓上的晶片幾乎通過了所有測試,內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規範,晶片很“健康”。這也意味著Intel 4工藝進展順利,良率已經達到了較高的水平。

Intel 4工藝進展順利:每瓦效能提升20%,明年下半年量產

Intel沒有公佈這個晶圓的具體情況,不過結合之前的資訊來看,這個測試的晶圓應該是14代酷睿Meteor Lake,已經在今年第二季度完成計算單元的流片,現在測試非常合理。

編輯:芯智訊-林子

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