XPS(X射線光電子能譜儀)|基本原理簡介(一)

X射線光電子能譜儀(X-ray PhotoelectronSpectroscopy, 縮寫XPS),它是利用X射線激發樣品表面元素的內層能級電子訊號,再用電子能譜儀檢測光電子的動能及強度,進而確定元素的種類及價態等資訊。主要用於研究材料極表面的元素及元素不同價態組成。現代X射線光電子能譜儀可以整合AES(俄歇電子能譜)、UPS(紫外光電子能譜)、ISS(離子散射譜)等功能,圖1是島津最新型的AXIS Supra+型光電子能譜儀。本文小編試著來探究一下X射線光電子能譜的原理,供各位讀者參考。

XPS(X射線光電子能譜儀)|基本原理簡介(一)

圖1 島津AXIS Supra+型光電子能譜儀

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01

光電子的由來

X射線是X射線光電子能譜的激發源,X射線照射到固體樣品表面,宏觀上可能看不到樣品變化,但微觀上已經發生改變。光電效應就是微觀變化的其中之一。光電子的由來需要從材料的基本組成單元——原子進行談起。

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圖2 原子核外電子排布

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圖3 核外電子雲形狀

原子由原子核與核外電子組成,原子核佔據了原子中99。96%以上的質量,電子在核外以電子雲的形狀存在。電子排布遵從量子力學,每個電子都有自己特定的執行軌道。從內殼層向外依次有1s、2s、2p、3s…等電子層,外部還會有費米能級與真空能級。電子層前的數字代表主量子數,s、p、d等是角量子數的符號,如圖2所示。但真實的電子軌道不都是球形,而可能是特殊形狀,如圖3所示,s軌道呈球形,p軌道則是啞鈴型。由於核外電子的鑽穿效應,軌道之間還可能發生重疊。電子與原子核之間,電子與電子之間都存在著電荷相互作用。電子層越靠近原子核,電子的結合能越大,電子層越遠離原子核,電子的結合能則越小。圖4是元素核外電子的結合能變化情況,可以看出不同元素的電子結合能也是不一樣的。

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圖4 核外電子的結合能

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02

光電子的出射

光具有波粒二象性,每個X光子都有特定的能量,比如Al kα X光子能量為1486。6 eV。X光子穿過樣品表面,會與核外電子發生碰撞,將核外電子激發出來,如圖5動畫所示。X光的穿透深度一般達到μm級,但是電子的逃逸深度則較淺,只有nm級(約10個原子單層),這也是為什麼X射線光電子能譜屬於表面分析方法的原因。

圖5 光電效應過程

X光子與電子碰撞時會產生能量交換,結合能低於光子能量的電子會被激發出來,整個過程可以用愛因斯坦光電發射定律來表示(公式1)

(1)

式中Ek為出射光電子的動能,hv為X光的能量,EB為光電子的結合能。

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03

不同化學態下光電子的變化

不同化學態或者說不同價態下,元素核外電荷會進行重新排布。正價態下原子核外會失去電子,軌道上電子的結合能會增加,表現在XPS譜峰上,就是圖譜會向高結合能端偏移(如圖6所示)。負價態下原子核外會得到電子,軌道電子的結合能會降低,表現在XPS譜峰上,就是圖譜會向低結合能端偏移(如圖7所示)。透過這種現象,我們就可以透過XPS譜峰判斷元素的價態情況。

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圖6 正價元素電子結合能的變化

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圖7 負價元素電子結合能的變化

比如下圖這個經典的例子,三氟乙酸乙酯的C 1s譜圖。C元素不同的化學鍵,即代表C元素周圍擁有不同的電荷排布狀態。H元素與C的電負性相當,O的電負性則較高,F的最高,因此C-C/H鍵下C 1s的結合能較低,C-O鍵次之,C=O(-O)鍵較大,C-F3鍵最大。

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圖8 三氟乙酸乙酯的C 1s譜圖

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04

光電子能譜儀的原理

X射線光電子能譜儀一般由X射線源、電子能量分析器、電子探測器和資料系統,以及其他附件構成。除了資料系統外,其他部件都要在超高真空下(10-8~10-10torr)執行。原因在於,在超高真空下光電子可以避免與殘餘氣體分子發生碰撞損失,另一方面樣品表面也可以避免吸附殘餘氣體分子而影響樣品結果。如下圖所示是X射線光電子能譜儀的原理示意圖。X光源激發到樣品上,樣品表面的電子被激發出來,經過傳輸透鏡。此後透過電子能量分析器對光電子的動能進行分辨,再透過電子探測器對電子進行計數。最後到達資料系統進行分析,就可以呈現出最終的X射線光電子能譜。

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圖9 光電子能譜儀的原理示意圖

小 結

X射線光電子能譜已經成為分析表徵領域的重要手段之一,在科研、教學等領域已經產出豐富有價值的成果,X射線光電子能譜儀自出生以後也深受化學、物理等領域專家的重視。本文小編透過一些圖例粗淺地闡述了X射線光電子能譜的原理,但更多有價值的資訊還需要從一些專業書籍中獲得,同時也希望本文對各位老師在科研教學上有所幫助!

撰稿人:王文昌

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