集微網訊息，中科院微電子所積體電路先導工藝研發中心殷華湘/吳振華研究團隊日前在國際學術期刊發表研究成果，利用DTCO（設計工藝協同最佳化）工程思想全面探索了互補場效應電晶體（CFET）的器件架構優勢。
根據該所介紹，CFET結構是對新一代先進製程節點環柵（GAA）電晶體的進一步改進，將不同導電溝道型別的GAA器件在垂直方向進行高密度三維單片整合，從而突破了傳統N/P-FET共平面佈局間距的尺寸限制，在3奈米以下技術代高密度、高效能積體電路製造技術中是器件創新架構的有力候選者。
該所研究團隊依託其提出的新型混合溝道CFET（Hybrid Channel Complementary FET，HC-CFET）結構設計和整合方案，利用SiNx與SiO2的高刻蝕選擇比，透過分步溝道形貌刻蝕，實現對N-FET和P-FET首選高電子與空穴遷移率導電溝道的共同最佳化，即使得N-FET具有（100）溝道表面晶向，P-FET具有（110）溝道表面晶向，從而在同等投影平面下獲得最佳的器件與電路效能。
目前，該結構設計與整合方案的可行性已透過Virtual-FAB模擬模擬驗證，展現出更高的工作頻率以及更優的噪聲容限視窗，以及在高度微縮的高效能CMOS積體電路應用上的巨大潛力。（校對/Aileen）