根據全球晶圓產能報告顯示，三星竟然一舉反超臺積電位列產能榜首，外界一片譁然。
不是說臺積電掌握著全球半數以上的晶圓市場嗎？為何會被三星挑落馬下呢？
其實，臺積電只是在晶圓代工市場上能夠傲視群雄。但要將其放在儲存晶片行業，實力確實不如三星。
而國產晶片受制於人早已是公開的“秘密”，尤其是我國在儲存晶片領域高度依賴進口的情況，更是令人痛心。
中國儲存晶片遭“卡脖子”
要知道，儲存晶片可是積體電路市場中佔比最大、應用最廣泛的品類，佔據了行業近三分之一的份額，規模之龐大可見一斑。
世界半導體貿易統計協會公佈資料顯示，到2023年中國儲存晶片市場有望跨過6000億大關。然而就在這如此關鍵的賽道中，
中國儲存晶片的自給率還不過15.7%。
其中，DRAM是使用量最大、競爭最激烈的一種儲存晶片。全球市場基本上都被三星、SK海力士和美光三大巨頭所壟斷。三星以43。6%份額穩居第一，第二名SK海力士為27。7%，第三名美光22。8%。
光是兩家韓企就獨佔71。3%的市場，再加上美光，總共拿走了94。1%的市場。
也就是說，把所有其他儲存企業的市場份額加到一起也才5.9%。
儲存晶片有著如此高集中度的市場份額，中國企業難有生存的空間，想要突破哪裡那麼容易。
儲存晶片作為技術密集與資本密集的產業，技術實力與資金實力缺一不可。這兩條硬性標準給國產企業帶來了不小的壓力。
華為與中科院聯手
不過好在華為終於出手了！
而且這次還是與中科院微電子團隊強強聯手，共同研發3D DRAM晶片技術。
華為將在VLSI Symposium2022上發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術，並進行各種有關記憶體的演示。
其實，在此之前華為就已經在儲存晶片領域展開了深度研究。華為曾釋出的一篇名為《華為麒麟帶你一圖看懂儲存器》的文章，就已經顯露端倪。
華為表示，隨著晶片尺寸的不斷縮小，DRAM工藝的微縮也將會變得越來越困難。也正因為平面DRAM的摩爾定律走向極限，各大廠商不得不加快腳步，希望能夠透過3D DRAM來解決難題。
除了華為，IBM、英特爾、斯坦福大學等一眾頂尖企業與知名學府，都將提出儲存領域的新突破。
現在比的就是看誰的發現落地快！
若是華為與中科院共同研發的3D DRAM技術能夠搶先落地應用，那麼，我們將有很大可能實現對三星、SK海力士和美光的彎道超車。
除了3D DRAM技術，最近這幾年，在國家的大力支援下，國產儲存晶片行業可以說是全面開花。
比如合肥長鑫主攻DRAM，如今已經成為大陸規模最大、技術最先進，全球排名第五的儲存晶片企業。
再比如長江儲存主攻NAND Flash，專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化，其儲存產品已經達到了全球頂尖水平。去年長江儲存全球份額為4%，預計今年將達到7%左右，或將超越英特爾成為全球第六。
至於將來國產儲存行業，能否因為華為的出現，以及其他國產儲存晶片企業的共同努力而改變，就讓我們拭目以待吧！