由於快閃記憶體晶片生產材料汙染，上月，西部資料已通知客戶上調快閃記憶體的價格［1］。美光已通知NAND晶片合約、現貨價雙漲。其中，合約價上漲17%~18%，現貨價漲幅25%以上［2］。TrendForce預計，受材料汙染影響，NAND快閃記憶體價格在第二季度將飆升5%~10%［3］。
不過，頻頻漲價的記憶體和快閃記憶體，多來自國際大廠，國產品牌寥寥無幾。
本文是“果殼硬科技”策劃的“國產替代”系列第四篇文章，關注半導體儲存器國產替代。在本文中 ，你將瞭解到：不同型別半導體儲存器技術細節，國內外在市場上的基本情況，國產半導體儲存器發展情況。
付斌丨作者
李拓丨編輯
果殼硬科技丨策劃
儲存晶片被分成兩大類
對人來說，記憶力是重要的，重量1。4kg的人腦就能夠儲存超過2。5PB（千萬億位元組）的資訊［4］。對現代電子系統來說，儲存資訊同樣重要。
1947年，曼徹斯特大學使用威廉姆斯-基爾伯恩管 （Williams-Kilburn tube）記錄資料點，此後儲存器開始走向全電子化，並經歷了數代磁儲存技術迭代。1970年代開始，半導體儲存器逐漸發展成主流［5］。
如今，
半導體儲存器已經成為半導體產業最大細分市場，約佔全球半導體產業的三分之一
［6］。據統計，至2025年全球將產生175ZB（十萬億億位元組）資料［7］，這會帶動半導體儲存器繼續增長。IC insights預測，未來五年半導體儲存器將保持6。8%的年複合增長率［8］。
在半導體領域，儲存器被分為易失性儲存器（記憶體）和非易失性儲存器（外存）兩個大類，前者在掉電時資料會立即消失，後者則不受斷電影響，持久儲存資料。
易失性儲存器在過去幾十年內沒有特別大的變化，依然是以SRAM（靜態隨機存取儲存器）和DRAM（動態隨機存取儲存器）為主，非易失性儲存器（NVM）則是不斷有新的技術浮現［9］。
半導體儲存器分類及全球市場份額佔比，製圖丨果殼硬科技，資料來源丨Yole
雖然半導體儲存器的細分種類繁雜，讓人眼花繚亂，但
實際上NAND Flash
（NAND型快閃記憶體）
和DRAM兩種主流儲存器就佔據了全球整體儲存器市場份額的96％左右，NOR Flash
（NOR型快閃記憶體）
和SRAM因其獨特的特性獨佔一方市場
，其餘廣泛技術應對不同終端系統和市場的要求［10］。
四大儲存型別對比
根據容量、傳輸速度、可擦除性等關鍵引數，不同儲存器擁有各自的職責，以計算機系統中使用的儲存器來看：SRAM速度夠快，通常作為中央處理器（CPU）的快取使用，DRAM價格低廉、容量大，通常用作記憶體，NOR Flash通常用於程式碼儲存，NAND Flash則用於大資料量儲存［11］。
計算機系統中的典型儲存器層次結構以及使用儲存技術，製圖丨果殼硬科技
半導體儲存器產業鏈與積體電路類似，三星（Samsung）、美光（Micron）、西部資料（Western Digital Corp，WDC）、SK海力士（SK hynix）和鎧俠（KIOXIA）幾家國際巨頭均屬於傳統的IDM（設計-製造垂直整合）模式的企業，從晶圓生產、模組/產品開發均為獨立完成。而現在流行的新模式，是將產業鏈拆分為Fabless（設計）、Foundry（製造）、Test（測試）三個環節，國記憶體儲晶片公司基本都是Fabless（設計）模式，僅少數幾家擁有晶圓生產能力。
在購物平臺經常見到的金士頓、七彩虹、威剛等屬於儲存品牌商，更偏下游。這些品牌商會根據細分行業客製化需求，進行晶圓分析、主控晶片選型與定製、韌體開發、封裝設計、晶片測試、後端技術支援等，將標準化儲存晶圓轉化為儲存產品，擴充套件半導體儲存器的應用場景，提升半導體儲存器在各類應用場景的適用性，推動實現儲存晶圓的產品化，是半導體儲存產業鏈承上啟下的重要環節［12］。
儲存產業鏈示意圖，圖源丨江坡龍電子招股書
本文所涉及的企業均與儲存晶片有關，與產業鏈相關企業可參見下表。
儲存相關企業一覽表（不完全統計），製表丨果殼硬科技
易失性儲存器的一對基友
DRAM和SRAM是易失性儲存器中的一對好基友，均屬於RAM（Random Access Memory）儲存器。RAM指的是隨機存取儲存器，在半導體儲存器誕生之前，老式磁帶、光碟、磁碟的訪問是順序執行的，而RAM的隨機性意味著資料存放不受物理位置限制［13］。
二者也擁有截然不同的兩種結構，並以自身的特點而命名：SRAM的S是Static（靜態）的縮寫，DRAM的D是Dynamic（動態）的縮寫。
DRAM由許多重複的位元格（Bit Cell）組成，每一個基本單元由一個電容和一個電晶體構成（又稱1T1C結構），電容用充放電對應二進位制數0和1，電晶體用來控制電容充放電。由於電容會存在漏電現象，DRAM必須在資料改變或斷電前進行充電保持電勢（即充電），否則就會丟失資料，因此DRAM被稱為“動態隨機儲存器”［14］。
SRAM的基本單元則最少由6管電晶體組成：4個場效電晶體（M1， M2， M3， M4）構成兩個交叉耦合的反相器，2個場效電晶體（M5， M6）用於讀寫的位線（Bit Line）的控制開關，透過這些場效電晶體構成一個鎖存器（觸發器），並在通電時鎖住二進位制數0和1，因此SRAM被稱為“靜態隨機儲存器”。除了6管，SRAM還可以使用8管、10管甚至更多電晶體組成［15］。
DRAM和SRAM之所以在歷史長河中從未被淘汰，是因為二者各有專長，適用不同應用場景：DRAM結構簡單，能夠擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，成本較低，不過DRAM訪問速度較慢，SRAM特性則與之完全相反。
DRAM和SRAM優劣勢對比
命途多舛的國產DRAM
目前我們在生活中能夠接觸到各種記憶體概念產品均為DRAM，領導標準機構JEDEC（固態技術協會）將DRAM定義為標準DDR、移動DDR、圖形DDR三個類別，分別指代的就是電腦記憶體、手機運存、顯示卡視訊記憶體。
一、標準DDR：支援更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸，面向伺服器、雲計算、網路、膝上型電腦、桌上型電腦等消費類應用，目前JEDEC已公佈的最高標準是DDR5。
DDR~DDR5規格對比，圖源丨Semiconductor
二、移動DDR：提供更窄的通道寬度和較低的功耗，面向移動裝置和汽車等對規格和功耗敏感的領域，目前JEDEC已公佈的最高標準是LPDDR5。
LPDDR~LPDDR5規格對比，圖源丨Semiconductor
三、圖形DDR：提供極高的吞吐量，面向圖形應用程式、資料中心加速以及AI的資料密集型應用程式，目前JEDEC已公佈的最高標準是GDDR6［16］。另外，將很多DDR晶片堆疊後與GPU封裝在一起，就構成了另一種形式的視訊記憶體，即HBM，目前JEDEC已公佈的最高標準是HBM3。
視訊記憶體升級歷史，圖源丨WCCFTech
據Omdia（IHS Markit）資料，2020年全球DRAM市場實現銷售額663。83億美元，較2019 年小幅增長6。75%，其中三星、SK海力士、美光三巨頭市場佔有率超過90%［17］。
之所以呈現寡頭壟斷的態勢是因為DRAM擁有高投入、高風險性、長期性和超大規模的特點，反觀DRAM的發展歷史，也充滿血腥氣息，大魚不斷吃小魚，形成現有格局。1980年代，市場擁有超過三十個玩家，而到了2019年還擁有市場份額的企業寥寥可數［18］。
DRAM行業變革，圖源丨方正證券
DRAM近40年內主要玩家，圖源丨國元證券
DRAM入門門檻極高，不僅需要龐大的資金支援漫長的研發，更為困難的是國際巨頭還可以透過透過規模效應分攤研發成本，並不斷在專利上“埋雷”，限制競爭對手發展。
反觀國內DRAM晶片起步較晚，必然會在專利上受到限制。縱觀國產在DRAM的發展，是一部圍繞專利的血淚史。
長鑫儲存是經歷整整20年時間才攢出的一支可用之師，其DRAM技術主要來自於已破產的德系DRAM廠商奇夢達，另一部分則來自於前日本DRAM廠商爾必達公司的前員工［19］。
目前，長鑫儲存母公司持續增資中，預計2022年產能打滿至12萬片/月。據TrendForce預測，2021年底全球DRAM產能約150萬片晶圓/月，三星產能超過55。5萬片晶圓/月，SK海力士超過36萬片晶圓/月，美光超過35。5萬晶圓/月。若長鑫儲存產能達到預期，排名可以躍升至全球第四［20］。
紫光國芯的前身則是西安華芯半導體，西安華芯則是浪潮集團2009年透過收購奇夢達科技（西安）有限公司而成立，奇夢達原為英飛凌科技儲存器事業部拆分獨立而來。
除了上述三家公司，東芯半導體旗下也擁有DDR3相關產品量產，北京君正收購北京矽成（ISSI）形成“計算+儲存+模擬”的技術格局，兆易創新正在規劃DDR3產品研發。
國內外DRAM市場情況，製表丨果殼硬科技
DRAM未來市場廣闊，特別在晶片缺乏的基調下，是國產繼續擴張的好機會。據TrendForce預計，2022年DRAM產業全球總產值將達915。4億美元［21］。另據Yole預測，2020~2026年DRAM全球市場將以15%複合年增長率增長，5G將拉動LPDDR需求，物聯網、雲服務和將帶動資料中心DRAM需求增長，汽車自動駕駛將成為DRAM新戰場［22］。
DRAM市場情況，圖源丨Yole
無法撼動的SRAM
SRAM擁有獨特的結構，至今仍未有新產品能夠撼動其在快取領域的應用。但SRAM價格昂貴，全球市場佔比始終較小。
SRAM除了能夠應用在快取中，一般還會用在FPGA內，由於查詢表（LUT）主要適合SRAM生產，目前大部分FPGA都是基於SRAM工藝［23］。（FPGA相關可參考：《“萬能晶片”之戰》）另外，SRAM特別適合用於存算一體技術，這是因為SRAM是所有儲存型別中最快的，且沒有寫次數限制，並且它可向先進製程相容，從而達到更高的能效比和麵效比。（存算一體晶片相關可參考：《存算一體晶片，人工智慧時代的潛力股》）
到2025年，全球SRAM市場規模將達到5。27億美元，複合年增長率為4。45%［24］。SRAM的主要參與者以瑞薩電子（Renesas）、賽普拉斯（Cypress，被英飛凌收購）、安森美半導體（ONsemi）、微芯半導體（Microchip）等國外廠商為主。2021年北京君正併購了北京矽成（ISSI），補充了SRAM這一產品路徑。
兩極分化的非易失性儲存器
非易失性儲存器持續湧現新技術，早期技術均因缺陷而逐步被淘汰，現有成熟技術中，擁有一定規模市場的非易失性儲存器共有三種：
EEPROM
：是一種支援電可擦除和即插即用的非易失性儲存器，具有體積小、介面簡單、資料儲存可靠、可線上改寫、功耗低等特點。
NOR Flash
：屬於程式碼型快閃記憶體晶片，是嵌入式儲存晶片領域主要的應用技術之一，用來儲存程式碼及部分資料，具備隨機儲存、可靠性高、讀取速度快、可執行程式碼等特性，在中低容量應用時具備效能和成本上的優勢。由於終端電子產品有內部指令執行、系統資料交換、使用者資料儲存、廠商配置資料儲存等需求，必需配備相應容量的程式碼儲存器和資料儲存器，因此是不可或缺的重要元器件［25］。
NAND Flash
：屬於資料型快閃記憶體晶片，是海量資料的核心，可以實現大容量儲存、高寫入和擦除速度，多應用於大容量資料儲存。擁有SLC、MLC、TLC、QLC四種不同儲存技術，依次代表每個儲存單元儲存的資料分別為1位、2位、3位與4位。由SLC到QLC儲存密度逐步提升，單位位元（Bit）成本也會隨之降低。但相對的，效能、功耗、可靠性與P/E迴圈（擦寫迴圈次數，即壽命）會下降［26］。
其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同兩個賽道，這是因為SLC技術較老，不值得將SLC轉換成更現代技術，但SLC的壽命、可靠性是最優的，因此仍具一定市場價值。
NAND都會受到“快閃記憶體縮放限制”，因此為了提升NAND Flash的效能，主要從兩個方向打破枷鎖：其一，提升製程節點；其二，透過縱向疊加NAND Flash層數獲取高密度和大容量，進而降低單位成本，即3D NAND Flash，類似於機械硬碟增加碟數來提高容量密度。
各種NAND Flash技術的對比，圖源丨世界電子元器件［27］
非易失性儲存器如今呈現兩極市場：國際巨頭逐漸淡出中小容量市場，做更賺錢的大容量3D MLC/TLC/QLC NAND Flash，國內企業屬於後來者，只能從中小容量的EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash切入市場。
按容量劃分的NOR Flash和NAND Flash產品，圖源丨Micron［28］
各種非易失性儲存器對比，製表丨果殼硬科技
神仙打架的大容量市場
普遍來說，常見的SSD固態硬碟、隨身碟、手機快閃記憶體、SD卡均屬大容量3D NAND Flash範疇。
目前，三星電子、鎧俠、西部資料、美光科技、英特爾和SK海力士六家企業在全球NAND Flash市場合計份額達98%以上，且均為IDM廠商。
大容量NAND Flash已經成為眾神相爭的領域，極其內卷，搶先宣發更高疊加層數已經成為六大廠商的樂趣：三星電子於2013年率先開發出可商業化應用的3D NAND Flash，當時還只有24層，到2020年3D NAND Flash就進入176層階段，未來甚至還會到達600以上。
為什麼層數是關鍵？這是因為儲存晶片的標準化程度較高，差異化競爭較小，因此廠商將競爭策略放在工藝製程和產品效能兩方面。快閃記憶體的產品效能最直觀的引數就是儲存密度，層數越多代表著越密度越高，技術越先進，同時每GB的成本也更低，消費者能買到的固態硬碟/隨身碟/手機儲存空間越大。這背後牽扯不僅是NAND Flash本身，還包括矽通孔（TSV）、疊層封裝（PoP / PoPoP）等繁雜的工藝，實現高疊加層數難度極高［29］。
在寡頭統治大容量3D NAND Flash現狀下，國內僅存長江儲存一家企業能與國際廠商同臺競技。據TechInsights分析，長江儲存的128層堆疊工藝無論在容量、位密度還是I/O速度方面都足以與其他廠商的產品競爭，技術方面已趕上業內領跑者。
長江儲存經歷過低谷。成立初期，透過自主研發和國際合作方式生產的中國首批32層3D NAND Flash在大廠前只能算是弟弟［30］。
跨越式發展的轉折點在2018年，長江儲存推出Xtacking晶棧架構，這項技術可實現兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和儲存單元，有利於選擇更先進的邏輯工藝，從而讓NAND Flash獲取更高I/O介面速度及更多操作功能。
市場上3D NAND Flash主要分為傳統並列式架構和CuA（CMOS under Array）架構，且外圍電路約佔芯片面積20%~30%，Xtacking將外圍電路置於儲存單元之上，從而實現比傳統3D NAND Flash更高的儲存密度，芯片面積可減少約25%［31］。
國際廠商與國內廠商對比，製表丨果殼硬科技
從當前市場情況來看，2022年NAND Flash整體市場容量需求將會再成長1。5～1。8倍，預計最快2022年上半年庫存將無法滿足市場需求，未來針對物聯網、電動車等新興應用，NAND Flash容量需求將看不到天花板［32］。
目前長江儲存產能為8萬片/月，預計2022初將具備10萬片/月的晶圓生產能力，同時長江儲存還在建造第二家晶圓廠，該晶圓廠也具備10萬片/月的產能。透過製程與良率的協同提高，預計長江儲存將佔全球市場份額的6%~8%，衝擊全球第六的頭銜［33］。
國產突入的中小容量市場
由於六家大廠在大容量領域表現過於強勢，國內玩家只能在大廠基本退出的中小容量EEPROM、NOR Flash、SLC NAND Flash領域發揮。中小容量非易失性儲存器國內外主流工藝節點差距較小，國際大廠工藝先進的優勢無法得到充分發揮，有利於國內廠商的切入。
國內中小容量非易失性儲存器企業一覽，製表丨果殼硬科技
EEPROM
EEPROM與NOR Flash擁有一定重合度，業界也曾討論過利用NOR Flash替代EEPROM。不過相較於NOR Flash，EEPROM容量更小、擦寫次數更高，因此擁有將近四十年曆史的EEPROM仍然沒有被淘汰，有些應用仍然需要它。不過在快閃記憶體成本下降壓力下，EEPROM正在面臨退出歷史舞臺的命運。
EEPROM主要作為模組中控制晶片的輔助晶片，解決模組晶片的資料儲存需求，比如智慧手機攝像頭模組記憶體儲鏡頭與影象的矯正引數、液晶面板記憶體儲引數和配置檔案、藍芽模組記憶體儲控制引數、記憶體條溫度感測器記憶體儲溫度引數等。
EEPROM在工藝製程和儲存單元逐步實現了從0。35μm/7。245μm 、0。18μm/2。88μm 、0。13μm/1。64μm 、0。13μm/1。26μm 向0。13μm/1。01μm 的升級。
根據賽迪顧問資料，EEPROM的全球市場規模僅為7。14億美元［34］，國外廠商包括意法半導體（ST）、Microchip（Microchip，收購Atmel）、安森美半導體（ONsemi）、ABLIC（艾普凌科）、Rohm（羅姆半導體），近幾年基本沒有新品推出。國內方面聚辰半導體躋身全球前三，輝芒微電子、上海復旦微、華虹半導體作為老牌廠商一直佔有一定份額。
由於EEPROM優勢逐步削弱，且現有企業已把成本做到最佳，幾乎不會產生新晉廠商，市場也逐步收窄。
EEPROM市場全球佔比情況，圖源丨普冉半導體招股書
NOR Flash
NOR Flash主要應用在低功耗藍芽模組、TWS耳機、手機觸控和指紋、TDDI（觸屏）、AMOLED（有源矩陣有機發光二極體面板）、可穿戴裝置、車載導航和安全晶片等領域。
NOR Flash發展多年，工藝製程實現從 90nm、65nm、55nm到40nm的升級。
全球NOR Flash曾經經歷較長時間市場下行，因此曾經的龍頭美光和賽普拉斯（現被英飛凌收購）於2016年和2017年宣佈逐步退出中低容量的消費品、PC市場。
轉折發生在龍頭退出之後，據CINNO Research統計，受5G建設、新智慧裝置、遠端辦公、遠端教育等需求帶動，可穿戴裝置、物聯網裝置的興起，提高了客戶對晶片的功耗、面積等效能的要求，2020年NOR Flash開始回暖，2020年的總產值也達到了26。2億美元，同比增長約6。0%［35］。
華邦電子、旺宏電子、兆易創順理成章地超過了美光和賽普拉斯，成為新三強，分別佔據全球NOR Flash份額的25。4%、22。5%、15。6%，普冉半導體和武漢新芯也在2020年同比增長超80%，逐漸接近美光在全球的市場份額［36］。
2020年全球NOR FLash市場情況，圖源丨CINNO Research
SLC NAND Flash
SLC NAND Flash因其較高的讀寫速度、較長的壽命及較高的可靠性，多應用於工業、汽車等對可靠性、低延遲要求較高的應用之中。
對於三星、美光這些巨頭來說，SLC NAND Flash是非常小的細分市場，只佔整個NAND Flash市場份額的不到5%，不如投入更賺錢的大容量市場。但對國內廠商來說，也相當於是30億美元的市場，已經足夠擁有吸引力［37］。
SLC NAND Flash主要用於基站、路由器、監控安防、可穿戴裝置，汽車智慧化也在帶動其需求量提升。
目前，國內SLC NAND Flash以38nm製程為主，下一代目標是24nm和1xnm。從供給模式上來講，國產以Fabless（設計）為主，需要代工在產能上提供支援。
雖然看似是在做國際廠商瞧不上的東西，但想要朝向大容量MLC/TLC/QLC發展，就要打好SLC的基礎。
爆發前夜的新型儲存器
國產在既有的儲存器已經很難打出差異化優勢，並且還要面臨專利高牆，因此在新型儲存器的研發和商業化的研究上格外努力。
目前，新型儲存器主要有4種：阻變儲存器（ReRAM/RRAM），相變儲存器（PCM），鐵電儲存器（FeRAM/FRAM），磁性儲存器（MRAM，第二代為STT-RAM）。
目前存在的新型儲存技術與快閃記憶體技術對比，製圖丨果殼硬科技
RRAM是最有希望取代DRAM的儲存技術，將成為突破傳統馮·諾依曼架構的重要力量，因此它也是是學術界和企業界的重點研究方向。RRAM具有高讀寫速度 （10ns~30ns） 、高儲存密度、高耐受性、永續性、低功耗、可以3D整合等特點，可使用常規的CMOS工藝製造， 快閃記憶體代工廠幾乎不需要改變裝置即可生產［38］。國內方面，2018年兆易創新和美國Rambus公司宣佈合作建立合資企業合肥睿科（Reliance Memory），進行RRAM技術的商業化。睿科以及美國Crossbar公司均使用中芯國際的40 nm工藝研發RRAM。
相變儲存器（PCM）源於20世紀60年代提出的奧弗辛斯基效應，是利用材料晶體和非晶體之間電阻率的差別實現資料儲存。2015年英特爾與美光共同提出了一種全新架構的3D X-Point儲存器技術（目前該專案已叫停，英特爾繼續生產傲騰持久記憶體產品），讀寫速度介於DRAM和快閃記憶體之間。儘管技術細節不詳，但3D X-Point的面世引發了相變儲存器的研發熱潮。當前國內相變儲存器產業化走在前列的，有中國科學院上海微系統與資訊科技研究所和華中科技大學有關團隊。
MRAM發展已有很長的歷史，但近年來基於自旋矩轉移的STT-MRAM成為了主流。MRAM可以用於替代DRAM或者SRAM，使其在斷電情況下也能儲存資料，MRAM在讀寫速度與耐久度方面有明顯的優勢，但成本較高。美國Everspin公司於2018年釋出了1GB容量的商用STT-MRAM晶片。韓國三星公司已在28nm FD-SOI工藝的生產線大規模生產嵌入式MRAM（eMRAM）。中國科學院物理研究所團隊則研製了一種磁矩閉合型奈米環狀磁性隧道結，作為儲存單元的新型MRAM原型器件［39］。
FRAM屬於仍在萌芽狀態的技術，它是利用鐵電薄膜的雙穩態極化特性製備的非易失性儲存器，整合鐵電學這種新興的邊緣學科已經成為矚目的研究方向［40］。
四類新型非易失性儲存器與NAND Flash指標綜合對比圖，圖源丨科技中國
據Yole統計，這些新型儲存器也擁有0。5%的全球市場份額，預計2026年新型儲存器在全球市場份額的佔比將上升到3%。
除此之外，新型非易失性儲存器還是即將爆發的存算一體晶片的重要基底，新型儲存器也將乘著這股熱潮持續研究商業化行徑。（存算一體晶片相關可參考：《存算一體晶片，人工智慧時代的潛力股》）
儲存器的發展路徑，圖源丨EEPW
被重視的國產儲存晶片
對於國產儲存晶片來說，要面對的問題主要包括：其一，儲存晶片和其他晶片一樣，不僅需要龐大的資金支援，還擁有超長的研發週期，短期很難看到收益率，好像錢永遠花不夠；其二，中國儲存起步晚，許多專利掌握在美國、日本、韓國等國家手上，這不是有錢就能搞定的，需要非常久遠的探索研究；其三，產業鏈資源包括晶圓、EDA軟體、裝置都受制於人，也幾乎是寡頭壟斷；其四，晶片人才缺乏嚴重，尤其是高階人才和領軍人物供不應求，無法滿足儲存晶片這種密集型研發產業［41］。
綜合來看，在儲存晶片各領域，都僅有一兩家能夠與國外巨頭制衡的國產公司，大部分玩家只能在國際巨頭“玩剩下”的領域發展，國產突圍重點是新型儲存器。
專家曾為此提出，中國作為儲存產業的後進者，在初期階段需要在我國的支援和引導下，充分發揮企業的作用，建議建立半導體儲存器國家級研發平臺以支援龐大的研發需求。除此之外，考慮到非易失半導體儲存器產業本身的週期波動和不確定性，以及長期大投入、高風險的特性，應當重視市場分析，完善行業定期監測分析和預警機制。
在國家“十四五”規劃綱要中，“先進儲存技術升級”被列入“科技前沿領域攻關”重點領域［42］，地方也時常傳出國家儲存器基地建設和先進儲存規劃的新聞，期待儲存晶片在受到重視後，能早日獲得更多市場份額。
References：
［1］ DIGITIMES：WD to raise flash device prices。2022。2。16。https：//digitimes。com/news/a20220216PD211/memory-chips-nand-flash-western-
［2］ 財聯社：美光NAND晶片現貨價漲超25% 為目前行業最高漲幅。2022。2。17。https：//www。cls。cn/detail/936036
［3］ TendForce：NAND Flash Pricing Set to Spike 5-10% in Q2 Due to Material Contamination at WDC and Kioxia， Says TrendForce。2022。2。10。https：//www。trendforce。com/presscenter/news/20220210-11116。html
［4］ CNS：What is the Memory Capacity of a Human Brain？。2021。2。5。https：//www。cnsnevada。com/what-is-the-memory-capacity-of-a-human-brain/
［5］ 泛林集團：半導體儲存器的發展歷程與當前挑戰。2021。5。20。https：//mp。weixin。qq。com/s/LtBdrhhkf98mixbRWXnoyQ
［6］ 雲岫資本：ReRAM新型儲存器如何影響未來儲存格局？。2021。4。20。https：//36kr。com/p/1189704372087683
［7］ SeedScientific：How Much Data Is Created Every Day？。2021。10。21。https：//seedscientific。com/how-much-data-is-created-every-day/
［8］ IC insights：Semiconductor Sales To Rise at 7。1% CAGR Through 2026。2022。2。10。https：//www。icinsights。com/news/bulletins/Semiconductor-Sales-To-Rise-At-71-CAGR-Through-2026/
［9］ 科技導報：劉明院士：半導體儲存器技術。2018。12。14。https：//mp。weixin。qq。com/s/2D1_tVUkwx_QADwzI3G27w
［10］ Yole：Memorymarket fortunes turn after disappointing 2020。2021。6。17。https：//www。i-micronews。com/memory-market-fortunes-turn-after-disappointing-2020/？cn-reloaded=1
［11］ 馮平，尹家宇，宋長坤，餘仕湖，李伯陽，陳鋮穎，左石凱。非易失性靜態隨機儲存器研究進展［J］。半導體技術，2022，47（01）：1-8+18。
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［13］ 維基百科：隨機存取儲存器詞條。https：//zh。wikipedia。org/wiki/%E9%9A%8F%E6%9C%BA%E5%AD%98%E5%8F%96%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8
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