20W氮化鎵快充普及風暴,鈺泰釋出高性價比合封GaN晶片

氮化鎵技術的普及,使充電器變得高效起來,發熱更低,體積也縮小便於攜帶,推進了百瓦大功率充電器的普及,也改變了人們對大功率充電器的印象。

但是氮化鎵器件對柵極驅動電壓要求非常敏感,並且對佈線要求也很高,這也導致了應用門檻較高,只應用在高階充電器上。一些小功率的,高性價比的充電器無法享受到氮化鎵效能提升所帶來的紅利。

合封的設計消除了寄生引數導致的干擾,並充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻,像傳統整合MOS的控制器一樣應用,得到了很高的市場佔有率。

20W氮化鎵快充普及風暴,鈺泰釋出高性價比合封GaN晶片

鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白,推出了一款內建D-mode氮化鎵功率管的合封晶片ETA80G25。

據悉,這款晶片主打超高性價比,價格與同規格超結開關管幾乎持平,讓小功率的充電器,也能吃上氮化鎵的紅利。同時合封晶片還大大簡化了初級元件數量,實現了高度整合的充電器設計。

20W氮化鎵快充普及風暴,鈺泰釋出高性價比合封GaN晶片

鈺泰半導體ETA80G25採用SSOP10封裝,內建650V耐壓,850mΩ D-mode氮化鎵開關管。內部開關管漏極連線大面積銅箔散熱,可實現良好的散熱並滿足絕緣耐壓要求。

ETA80G25支援90-264V輸入,支援27W功率輸出。晶片支援CCM/QR/DCM執行模式,滿載最高開關頻率80kHz,輕載下支援頻率折返控制,可實現全功率範圍內的高效率。

從ETA80G25評估板上看出,得益於使用合封氮化鎵器件,晶片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續輸出,並且合封將控制器和開關管整合在一顆晶片內,初級的元件也十分精簡,可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。

20W氮化鎵快充普及風暴,鈺泰釋出高性價比合封GaN晶片

鈺泰半導體ETA80G25合封氮化鎵晶片採用光耦反饋,可與多種協議晶片配合使用,實現USB-A或USB-C或者多口輸出,設計十分靈活。

充電頭網總結

鈺泰半導體 ETA80G25以幾乎相同規格超結功率管的親民價格,讓小功率快充應用也能發揮氮化鎵材料的優勢,極具價效比。

ETA80G25具有恆功率或降功率的輸出電流管理功能,以及完善全面的保護功能,非常適合應用於18W、20W、24W、25W  PD/QC的快充介面卡,填補氮化鎵材料在小功率快充應用中的空白。

鈺泰半導體將於11月26日參加2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲大會,展位號A29。更多產品資訊,可在展會當天現場瞭解。

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